Антава

VISHAY

Транзистор IRFIB6N60APBF

IRFIB6N60APBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
3.5 A
Power dissipation
60 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFIB6N60APBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current3.5 A
Power dissipation60 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.75 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge49nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP

Документация

Документ производителя