Антава

VISHAY

Транзистор IRFI640GPBF

IRFI640GPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
9.8 A
Pulsed drain current
39 A
Power dissipation
40 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFI640GPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current9.8 A
Pulsed drain current39 A
Power dissipation40 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP

Документация

Документ производителя