VISHAY
Транзистор IRFI510GPBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 4.5 A
- Pulsed drain current
- 18 A
- Power dissipation
- 27 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 926 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%558,45 ₽
Сумма · с НДС 22%558,45 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 558,45 ₽ | |
| от 5 | 427,39 ₽ | |
| от 10 | 364,70 ₽ | |
| от 25 | 288,72 ₽ | |
| от 50 | 248,83 ₽ | |
| от 100 | 222,24 ₽ | |
| от 500 | 184,25 ₽ | |
| от 1000 | 172,85 ₽ | |
| от 2000 | 163,36 ₽ | |
| от 5000 | 151,96 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFI510GPBF |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 4.5 A |
| Pulsed drain current | 18 A |
| Power dissipation | 27 W |
| Корпус | TO220FP |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.54 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 8.3nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.