Антава

INFINEON

Транзистор IRFHM8326TRPBF

IRFHM8326TRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
19 A
Power dissipation
2.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRFHM8326TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current19 A
Power dissipation2.8 W
КорпусPQFN3.3X3.3
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 19A; 2.8W; PQFN3.3X3.3

Документация

Документ производителя