Антава

INFINEON

Транзистор IRFH5010TRPBF

IRFH5010TRPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
13 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFH5010TRPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current13 A
Power dissipation250 W
КорпусPQFN5X6
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6

Документация

Документ производителя