Антава

VISHAY

Транзистор IRFD113PBF

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.8A
Pulsed drain current
6.4A
Power dissipation
1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFD113PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.8A
Pulsed drain current6.4A
Power dissipation1W
КорпусHVMDIP
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.8Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.8A; Idm: 6.4A; 1W; HVMDIP

Документация

Документы пока не предоставлены.