Антава

VISHAY

Транзистор IRFBG30PBF-BE3

IRFBG30PBF-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
3.1 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRFBG30PBF-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current3.1 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge80nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.1A; 125W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.