Антава

VISHAY

Транзистор IRFBG30PBF

IRFBG30PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
2 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 338 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%681,88 ₽

Сумма · с НДС 22%681,88 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1681,88 ₽
от 10356,91 ₽
от 50285,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFBG30PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current2 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge80nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB

Документация

Документ производителя