Антава

VISHAY

Транзистор IRFBG20PBF

IRFBG20PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
1.4 A
Pulsed drain current
5.6 A
Рассеиваемая мощность
54 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 824 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%287,64 ₽

Сумма · с НДС 22%287,64 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1287,64 ₽
от 10263,67 ₽
от 50230,48 ₽
от 100213,89 ₽
от 150204,67 ₽
от 250193,60 ₽
от 500178,85 ₽
от 750167,79 ₽
от 1000162,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFBG20PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current1.4 A
Pulsed drain current5.6 A
Рассеиваемая мощность54 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB

Документация

Документ производителя