Антава

VISHAY

Транзистор IRFBF30PBF

IRFBF30PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900V
Drain current
2.3A
Power dissipation
125W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFBF30PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900V
Drain current2.3A
Power dissipation125W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3.7Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB

Документация

Документ производителя