Антава

VISHAY

Транзистор IRFBF20PBF

IRFBF20PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
1.1 A
Pulsed drain current
6.8 A
Power dissipation
54 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFBF20PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current1.1 A
Pulsed drain current6.8 A
Power dissipation54 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; TO220AB

Документация

Документ производителя