Антава

VISHAY

Транзистор IRFBE30PBF

IRFBE30PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
2.6 A
Pulsed drain current
16 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 269 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%432,82 ₽

Сумма · с НДС 22%432,82 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1432,82 ₽
от 10318,42 ₽
от 50272,66 ₽
от 100251,68 ₽
от 250226,90 ₽
от 500209,74 ₽
от 1000196,39 ₽
от 1250190,67 ₽
от 2000183,04 ₽
от 5000165,88 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFBE30PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current2.6 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB

Документация

Документ производителя