Антава

VISHAY

Транзистор IRFBE30LPBF

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
2.6A
Pulsed drain current
16A
Power dissipation
125W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFBE30LPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current2.6A
Pulsed drain current16A
Power dissipation125W
КорпусI2PAK, TO262
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.