Антава

VISHAY

Транзистор IRFBE20PBF

IRFBE20PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
1.8A
Pulsed drain current
7.2A
Power dissipation
54W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFBE20PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current1.8A
Pulsed drain current7.2A
Power dissipation54W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance6.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Heatsink thickness1.14...1.4mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB

Документация

Документ производителя