Антава

VISHAY

Транзистор IRFBC30ASPBF

IRFBC30ASPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
3.6 A
Pulsed drain current
14 A
Power dissipation
74 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFBC30ASPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current3.6 A
Pulsed drain current14 A
Power dissipation74 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W

Документация

Документы пока не предоставлены.