Антава

VISHAY

Транзистор IRFBC20PBF

IRFBC20PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
1.4A
Pulsed drain current
8A
Power dissipation
50W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFBC20PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current1.4A
Pulsed drain current8A
Power dissipation50W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.4Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Heatsink thickness1.14...1.4mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB

Документация

Документ производителя