INFINEON
Транзистор IRFB7534PBF
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HEXFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 195 A
- Power dissipation
- 294 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 587 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%505,27 ₽
Сумма · с НДС 22%505,27 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 505,27 ₽ | |
| от 5 | 333,67 ₽ | |
| от 10 | 314,61 ₽ | |
| от 25 | 287,91 ₽ | |
| от 50 | 266,94 ₽ | |
| от 100 | 255,50 ₽ | |
| от 250 | 238,34 ₽ | |
| от 500 | 226,90 ₽ | |
| от 1000 | 211,64 ₽ | |
| от 2000 | 198,30 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRFB7534PBF |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 195 A |
| Power dissipation | 294 W |
| Корпус | TO220AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 2.4 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 186nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Trade name | StrongIRFET |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.