Антава

INFINEON

Транзистор IRFB7430PBF

IRFB7430PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
409A
Power dissipation
375W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB7430PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current409A
Power dissipation375W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.3mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge300nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Trade nameStrongIRFET
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB

Документация

Документ производителя