Антава

INFINEON

Транзистор IRFB5620PBF

IRFB5620PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
25 A
Рассеиваемая мощность
144 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 546 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%520,34 ₽

Сумма · с НДС 22%520,34 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1520,34 ₽
от 10318,09 ₽
от 50268,45 ₽
от 100250,06 ₽
от 500204,09 ₽
от 1000189,38 ₽
от 2000183,87 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB5620PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current25 A
Рассеиваемая мощность144 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance72.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge25nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB

Документация

Документ производителя