Антава

INFINEON

Транзистор IRFB52N15DPBF

IRFB52N15DPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
60 A
Рассеиваемая мощность
320 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 73 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%595,41 ₽

Сумма · с НДС 22%595,41 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1595,41 ₽
от 5472,66 ₽
от 10425,03 ₽
от 25371,90 ₽
от 50337,09 ₽
от 100304,12 ₽
от 500245,49 ₽
от 1000229,00 ₽
от 2000219,84 ₽
от 4000212,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB52N15DPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current60 A
Рассеиваемая мощность320 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance32 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB

Документация

Документ производителя