Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4510PBF

IRFB4510PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
62A
Power dissipation
140W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4510PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current62A
Power dissipation140W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance13.5mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB

Документация

Документ производителя