Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4332PBF

IRFB4332PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
60 A
Рассеиваемая мощность
390 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 967 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%516,19 ₽

Сумма · с НДС 22%516,19 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1516,19 ₽
от 10453,02 ₽
от 25406,09 ₽
от 50371,80 ₽
от 100357,36 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4332PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current60 A
Рассеиваемая мощность390 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance33 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge99nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB

Документация

Документ производителя