Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4310ZPBF

IRFB4310ZPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
127 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRFB4310ZPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current127 A
Power dissipation250 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB

Документация

Документ производителя