Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4310PBF

IRFB4310PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
140 A
Рассеиваемая мощность
330 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 91 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%678,63 ₽

Сумма · с НДС 22%678,63 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1678,63 ₽
от 10467,46 ₽
от 50406,09 ₽
от 100384,43 ₽
от 500328,48 ₽
от 1000303,22 ₽
от 2000281,56 ₽
от 3000267,12 ₽
от 5000249,07 ₽
от 7000245,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4310PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current140 A
Рассеиваемая мощность330 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB

Документация

Документ производителя