Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4229PBF

IRFB4229PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
46 A
Рассеиваемая мощность
330 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 606 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%557,12 ₽

Сумма · с НДС 22%557,12 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1557,12 ₽
от 50413,70 ₽
от 100387,96 ₽
от 200356,70 ₽
от 500314,41 ₽
от 1000286,83 ₽
от 2000264,77 ₽
от 3000253,74 ₽
от 5000242,70 ₽
от 6000240,87 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4229PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current46 A
Рассеиваемая мощность330 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance46 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB

Документация

Документ производителя