Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IRFB4229PBF

IRFB4229PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
46A
Power dissipation
330W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4229PBF
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current46A
Power dissipation330W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance46mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB

Документация

Документ производителя