Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4227PBF

IRFB4227PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
65 A
Power dissipation
190 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4227PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current65 A
Power dissipation190 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance26 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB

Документация

Документ производителя