Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4127PBF

IRFB4127PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
76 A
Power dissipation
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4127PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current76 A
Power dissipation375 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.1µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB

Документация

Документ производителя