Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4115PBF

IRFB4115PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
74 A
Power dissipation
380 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4115PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current74 A
Power dissipation380 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge77nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB

Документация

Документ производителя