Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4110PBF

IRFB4110PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
130 A
Power dissipation
370 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4110PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current130 A
Power dissipation370 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB

Документация

Документ производителя