Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4110PBF

IRFB4110PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
130A
Power dissipation
370W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4110PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current130A
Power dissipation370W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.5mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB

Документация

Документ производителя