Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4020PBF

IRFB4020PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
18A
Power dissipation
100W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4020PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current18A
Power dissipation100W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.1Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB

Документация

Документ производителя