Антава

INFINEON

Транзистор IRFB4019PBF

IRFB4019PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
17 A
Рассеиваемая мощность
80 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 881 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%363,60 ₽

Сумма · с НДС 22%363,60 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1363,60 ₽
от 10270,37 ₽
от 50212,01 ₽
от 100190,75 ₽
от 250165,58 ₽
от 500148,61 ₽
от 1000133,88 ₽
от 2000120,27 ₽
от 3000113,00 ₽
от 5000109,64 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB4019PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current17 A
Рассеиваемая мощность80 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance95 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB

Документация

Документ производителя