Антава

INFINEON

Транзистор IRFB38N20DPBF

IRFB38N20DPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
44 A
Рассеиваемая мощность
320 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 203 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%517,34 ₽

Сумма · с НДС 22%517,34 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1517,34 ₽
от 5405,97 ₽
от 10361,06 ₽
от 50271,25 ₽
от 100240,71 ₽
от 250210,17 ₽
от 500204,78 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB38N20DPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current44 A
Рассеиваемая мощность320 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance54 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB

Документация

Документ производителя