Антава

INFINEON

Транзистор IRFB3607PBF

IRFB3607PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
80 A
Power dissipation
140 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB3607PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current80 A
Power dissipation140 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB

Документация

Документ производителя