Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IRFB3307PBF

IRFB3307PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75V
Drain current
130A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB3307PBF
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75V
Drain current130A
Power dissipation250W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance6.3mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB

Документация

Документ производителя