Антава

INFINEON

Транзистор IRFB3306PBF

IRFB3306PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
160 A
Power dissipation
230 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB3306PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current160 A
Power dissipation230 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge85nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB

Документация

Документ производителя