Антава

INFINEON

Транзистор IRFB3207ZPBF

IRFB3207ZPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 12 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%569,76 ₽

Сумма · с НДС 22%569,76 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1569,76 ₽
от 2501,97 ₽
от 10408,54 ₽
от 20386,56 ₽
от 50355,41 ₽
от 100326,10 ₽
от 500272,97 ₽
от 1000254,65 ₽
от 2000239,99 ₽
от 4000229,00 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB3207ZPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.1 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB

Документация

Документ производителя