Антава

INFINEON

Транзистор IRFB3207PBF

IRFB3207PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
330 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 92 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%517,14 ₽

Сумма · с НДС 22%517,14 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1517,14 ₽
от 2495,51 ₽
от 10403,62 ₽
от 20360,37 ₽
от 50322,53 ₽
от 100315,33 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB3207PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность330 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB

Документация

Документ производителя