Антава

INFINEON

Транзистор IRFB3206PBF

IRFB3206PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
150 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB3206PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current150 A
Power dissipation300 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB

Документация

Документ производителя