Антава

INFINEON

Транзистор IRFB3077PBF

IRFB3077PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
210 A
Рассеиваемая мощность
370 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 472 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%929,50 ₽

Сумма · с НДС 22%929,50 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1929,50 ₽
от 10644,33 ₽
от 25602,82 ₽
от 50579,36 ₽
от 100527,02 ₽
от 500424,14 ₽
от 1000384,43 ₽
от 2000364,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB3077PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current210 A
Рассеиваемая мощность370 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge160nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB

Документация

Документ производителя