Антава

INFINEON

Транзистор IRFB3006PBF

IRFB3006PBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
270 A
Рассеиваемая мощность
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 86 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%570,51 ₽

Сумма · с НДС 22%570,51 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1570,51 ₽
от 10453,86 ₽
от 20439,28 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB3006PBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current270 A
Рассеиваемая мощность375 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge200nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB

Документация

Документ производителя