Антава

INFINEON

Транзистор IRFB3006GPBF

IRFB3006GPBF
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
270 A
Power dissipation
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB3006GPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current270 A
Power dissipation375 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge200nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB

Документация

Документ производителя