Антава

VISHAY

Транзистор IRFB11N50APBF-BE3

IRFB11N50APBF-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
11 A
Power dissipation
170 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRFB11N50APBF-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current11 A
Power dissipation170 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.52 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 170W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.