Антава

VISHAY

Транзистор IRFB11N50APBF

IRFB11N50APBF
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
7 A
Power dissipation
170 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 502 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 880,94 ₽

Сумма · с НДС 22%2 880,94 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 880,94 ₽
от 101 667,10 ₽
от 501 254,17 ₽
от 1001 202,31 ₽
от 2001 148,53 ₽
от 2501 129,33 ₽
от 5001 069,79 ₽
от 7501 019,85 ₽
от 1000994,88 ₽
от 2000885,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRFB11N50APBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current7 A
Power dissipation170 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.52 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB

Документация

Документ производителя