Антава

INFINEON

Транзистор IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPBF
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-55 V
Drain current
-19 A
Power dissipation
68 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF9Z34NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-55 V
Drain current-19 A
Power dissipation68 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge23.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB

Документация

Документ производителя