Антава

INFINEON

Транзистор IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
HEXFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-55 V
Drain current
-12 A
Power dissipation
45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 549 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%177,32 ₽

Сумма · с НДС 22%177,32 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1177,32 ₽
от 10144,88 ₽
от 25125,26 ₽
от 50110,73 ₽
от 10096,02 ₽
от 50067,16 ₽
от 100063,01 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIRF9Z24NPBF
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-55 V
Drain current-12 A
Power dissipation45 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.175 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge12.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB

Документация

Документ производителя