Антава

VISHAY

Транзистор IRF9Z14SPBF

IRF9Z14SPBF
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-6.7A
Pulsed drain current
-27A
Power dissipation
43W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIRF9Z14SPBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-6.7A
Pulsed drain current-27A
Power dissipation43W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W

Документация

Документы пока не предоставлены.