Антава

VISHAY

Транзистор IRF9Z14PBF

IRF9Z14PBF
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-6.7 A
Pulsed drain current
-27 A
Power dissipation
43 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIRF9Z14PBF
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-6.7 A
Pulsed drain current-27 A
Power dissipation43 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge12nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.