VISHAY
Транзистор IRF9640SPBF
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -200 V
- Drain current
- -6.8 A
- Pulsed drain current
- -44 A
- Рассеиваемая мощность
- 125 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 68 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%542,78 ₽
Сумма · с НДС 22%542,78 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 542,78 ₽ | |
| от 5 | 403,47 ₽ | |
| от 10 | 387,18 ₽ | |
| от 25 | 369,09 ₽ | |
| от 50 | 356,43 ₽ | |
| от 100 | 343,76 ₽ | |
| от 250 | 325,67 ₽ | |
| от 500 | 314,81 ₽ | |
| от 1000 | 302,15 ₽ | |
| от 2000 | 289,48 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IRF9640SPBF |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -200 V |
| Drain current | -6.8 A |
| Pulsed drain current | -44 A |
| Рассеиваемая мощность | 125 W |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.5 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 44nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.